Modele tranzystora bipolarnego

Przy nazywaniu tranzystora poszczególne określenia są łączone, Można Zatem mówić, na przykład, o krzemowym tranzystorze epitaksjalno-planarnym WIELKIEJ częstotliwości małej Mocy. . W rezultacie, po przyłożeniu do złącza baza-emiter napięcia w przewodzenia kierunku, popłynie niewielki PRAD między bazą un emiterem, un przepływ dużego prądu między kolektorem un emiterem. Stosunek prądu kolektora ne prądu bazy nazywany jest wzmocnieniem prądowym tranzystora i oznacza się grecką literą β. W Ten sposób tworzą się DWA złącza p-n: baza-emiter (nazywane krótko złączem emitera) oraz baza-kolektor (nazywane złączem kolektora). Ze względu na sposób włączenia tranzystora ne układu Można wyróżnić Trzy Podstawowe układy jego pracy Prąd bazy Składa się z dwóch głównych składników: prądu rekombinacji i prądu wstrzykiwania. PRAD rekombinacji à PRAD powstały z rekombinacji w bazie nośników wstrzykniętych z emitera do bazy z nośnikami komplementarnymi. Jest tym Mniejszy im cieńsza i słabiej domieszkowana jest baza. Jest PRAD wstrzykiwania à PRAD złożony z nośników wstrzykniętych z bazy do emitera, jego wartość Zależy OD spółdzielniach koncentracji domieszek w obszarze bazy i emitera. Tranzystor pracujący w stanie aktywnym może być wykorzystany ne budowy układu b, ącego wzmacniaczem natężenia prądu elektrycznego. Małe zmiany prądu lizdo płynącego w obwodzie bazy bezrobocia duże zmiany prądu płynącego w obwodzie kolektora. W zależności OD konstrukcji układu Można uzyskać wzmocnienie prądu, napięcia lub OBU tych wielkości. W stanie aktywnym złącze emiter-baza jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a złącze baza-kolektor-w kierunku zaporowym.

Napięcie baza-emiter powoduje przepływ (wstrzykiwanie) nośników większościowych emitera przez à złącze do bazy-(elektrony w tranzystorach NPN lub dziury w tranzystorach PNP). Nośników przechodzących w przeciwną stronę, OD bazy do emitera jest niewiele, ze względu na słabe domieszkowanie bazy. Nośniki wstrzyknięte z emitera do obszaru bazy dyfundują ne rodzajów mniejszej ich koncentracji w kierunku kolektora. Trafiają do obszaru złącza baza-kolektor, une tu na skutek Pola lizdo w obszarze zubożonym są przyciągane do kolektora. Wzmacniane napięcie sygnału wejściowego podawane jest pomi, ZY bazę a kolektor tranzystora, natomiast sygnał po wzmocnieniu odbierany jest spomisezy kolektora i emitera. Wzmocnienie napięciowe Tego układu jest bliskie Jedności, wobec czego na wyjściu wzmacniacza otrzymuje się „powtórzone” napięcie z wejścia, stąd druga powszechnie używana nazwa takich wzmacniaczy-wtórnik emiterowy. Poszczególne stany tranzystora są wykorzystywane w diffĂŠrents zastosowaniach. W zależności OD points pracy tranzystor Może znajdować się w Czterech stanach za sygnał sterujący prądem kolektora Można uważać Zarówno PRAD bazy, Jak i napięcie baza-emiter.

Zależność między oczyska dwiema wielkościami opisuje charakterystyka wejściowa tranzystora, BDE w ąca zasadzie eksponencjalną charakterystyką złącza PN spolaryzowanego w przewodzenia kierunku.

Poprzednie wersje artykułu:

Nie ma poprzednich wersji tego artykułu.